浸没式光刻机进场 晶瑞股份ArF光刻胶研发提速

浸没式光刻机进场 晶瑞股份ArF光刻胶研发提速

  1月19日上午,在苏州纳米科技园,晶瑞股份举行了光刻机搬入仪式。公司本次购置的是先进的阿斯麦(ASML)XT 1900Gi 浸没式光刻机。在业内人士看来,这标志着晶瑞股份在高端光刻胶研发上揭开新篇章,公司将加快实现光刻胶产品应用于12英寸芯片生产线的战略布局。

  “浸没式光刻机是高端光刻胶研发的关键设备,尽管投入巨大,晶瑞股份还是下定决心购买。”对于购置该光刻机,晶瑞股份董事长吴天舒在现场讲话中介绍,为解决集成电路制造领域关键材料“卡脖子”问题,加速高端ArF光刻胶研发,建立研发平台,公司后续还将购置其他相关辅助设备,并尽早完成设备的安装调试,投入使用。

  记者了解到,在多方努力下,晶瑞股份克服重重干扰和困难,仅仅用了不到4个月,就完成了该光刻机的交易,并顺利将其搬入高端光刻胶实验室。

  回溯公告,晶瑞股份于2020年9月29日披露,为开展集成电路制造用高端光刻胶研发项目,公司拟斥资1102.5万美元购买一台ASML光刻机。

  晶瑞股份是国内最早进行光刻胶研发和产业化的公司之一,拥有28年的产业积累。资料显示,早在1993年,晶瑞股份全资子公司苏州瑞红就开启了光刻胶研发,并承担完成了国家重大科技项目02专项“i 线光刻胶产品开发及产业化项目”。目前,晶瑞股份的i 线光刻胶已向多家半导体头部公司供货;公司完成中试的KrF光刻胶已进入客户测试阶段。

  据了解,随着芯片跨入纳米级,半导体光刻胶的波长在不断缩短,已经由紫外宽谱逐步发展到g 线(436nm)、i 线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、ArF Immersion 浸润式,以及最先进的EUV(<13.5nm)线水平。光刻胶波长越短,研发难度越大,适应制程越先进。从全球来看,目前KrF和ArF的市场份额最大。

  “在中国集成电路产业不断发展壮大、制程不断提升的情况下,晶瑞股份布局ArF光刻胶,既是担当也是挑战。”对于挑战更先进的ArF光刻胶,晶瑞股份表示,尽管中国集成电路产业整体实力显著提升,但受制于我国光刻胶技术发展水平,目前适用于6英寸硅片的g 线、i 线光刻胶的自给率约为10%,适用于8英寸硅片的KrF光刻胶的自给率不足5%,而适用于12英寸硅片的ArF光刻胶基本依靠进口,光刻胶国产化依然任重道远。

  “预计上半年完成安装工程,我们期望3年内完成ArF光刻胶产品新工艺相关技术参数及产品定型,并实现规模化生产。”展望未来,吴天舒告诉记者,实现ArF光刻胶产业化,中国的光刻胶就基本上可以满足45nm至28nm制程技术和工艺的要求。

本文来源: 每日商业报道 文章作者: 李兴彩

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